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韩国半导体产业协会最新评估指出，中国存储芯片制造商与行业领先者的技术鸿沟正快速收窄。长江存储在NAND闪存领域仅落后约一年；长鑫存储在DRAM领域落后约两年，在HBM领域落后约三年。而此前，这一差距普遍被认为约为五年。

《韩国中央日报》援引韩国半导体产业协会的表述称：

“韩国与中国在存储芯片领域的技术差距已缩减至：HBM领域三年，DRAM领域两年，NAND闪存领域一年。”

这一进展最令人瞩目的，是中国半导体产业追赶的规模和速度。

NAND：长江存储有望将差距压缩至约一年

三星和SK海力士于2025年开始量产300层NAND闪存，当时长江存储生产的是270层NAND。到2027年，长江存储预计将转向400层NAND，届时其与三星、SK海力士的差距可能缩小至仅约一年。

DRAM：长鑫存储落后约两年

三星和SK海力士于2023年开始生产DDR5内存，而长鑫存储直到2025年才开始生产DDR5内存模块，两者相差约两年。不过，长鑫存储已开始量产LPDDR5X，并刚刚启动LPDDR6的生产。

HBM：长鑫存储落后约三年

在HBM领域，长鑫存储目前落后约三年。它刚刚开始HBM3E模块的试生产，但良率仅为约25%。这家DRAM厂商仍在攻克用于垂直连接内存堆叠的硅通孔技术。

据报道，长鑫存储在G4工艺上构建HBM3E堆叠时，借鉴了长江存储X-Stacking 3D NAND方案的思路。该方案并非完全依赖传统微凸点来连接堆叠的DRAM芯片，而是采用铜-铜混合键合技术，将晶圆间的铜互连线合并，从而缩短堆叠DRAM层之间的电路路径。关键在于，这种架构使长鑫存储和长江存储无需依赖极紫外光刻设备，也能制造出有竞争力的HBM架构。

长鑫存储预计今年还将从上海爱世格纳和宇良生等厂商接收一些国产DUV光刻设备。不过，这些DUV设备制造商仍面临瓶颈，尤其是在投影镜头和光源方面。

产能扩张：长鑫存储目标激进

长鑫存储正在积极扩充产能。公司计划到2026年底，通过三座300毫米DRAM晶圆厂实现每月30万片晶圆的产能，每座晶圆厂月产能约10万片。此外，到2026年底，其HBM晶圆产能预计将达到每月约5万片。

长鑫存储目前还在上海和合肥建设两座新晶圆厂。这些工厂投产后，其月产能将提升至60万片晶圆。事实上，长鑫存储有望在2030年之前，在量产规模上超越美光。

技术路线：HKMG与更先进节点

为了克服制程微缩的限制，长鑫存储显然正在使用高介电常数金属栅极技术。该技术用氧化铪等材料取代旧的硅基绝缘体，不仅能抑制电流泄漏和相关的热能浪费，还能提高能效，并为更高速度铺平道路——因为晶体管能够比使用多晶硅栅极时更快地切换状态。

鉴于长鑫存储已将这项技术应用于其G4 DRAM制造工艺（普遍认为该工艺采用1z节点）以及LPDDR5X产品，可以合理推断该公司即将转向更先进的1a节点。考虑到长鑫存储已经在开发下一代15nm G5 DRAM制造工艺，这种可能性更大。

长江存储产能展望

至于长江存储，预计到2027年初，其产能将达到每月30万片晶圆，其中一部分将用于生产LPDDR。待长江存储的两座新晶圆厂于2027年投产后，其总产能到2028年将增长至每月45万至50万片晶圆。相比之下，三星到2027年底的NAND产能预计为每月35万片晶圆。

本文来自微信公众号“Tech商业”，36氪经授权发布。